Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PHB27NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Číslo dílu
PHB27NQ10T,118
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
107W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1240pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26862 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PHB27NQ10T,118
PHB27NQ10T,118 Elektronické komponenty
PHB27NQ10T,118 Odbyt
PHB27NQ10T,118 Dodavatel
PHB27NQ10T,118 Distributor
PHB27NQ10T,118 Datová tabulka
PHB27NQ10T,118 Fotky
PHB27NQ10T,118 Cena
PHB27NQ10T,118 Nabídka
PHB27NQ10T,118 Nejnižší cena
PHB27NQ10T,118 Vyhledávání
PHB27NQ10T,118 Nákup
PHB27NQ10T,118 Chip