BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
Číslo dílu
BSS138LT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
225mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45728 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSS138LT1G
BSS138LT1G Elektronické komponenty
BSS138LT1G Odbyt
BSS138LT1G Dodavatel
BSS138LT1G Distributor
BSS138LT1G Datová tabulka
BSS138LT1G Fotky
BSS138LT1G Cena
BSS138LT1G Nabídka
BSS138LT1G Nejnižší cena
BSS138LT1G Vyhledávání
BSS138LT1G Nákup
BSS138LT1G Chip