FDG311N
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Číslo dílu
FDG311N
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dodavatelský balíček zařízení
SC-70-6
Ztráta energie (max.)
750mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
115 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11673 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDG311N
FDG311N Elektronické komponenty
FDG311N Odbyt
FDG311N Dodavatel
FDG311N Distributor
FDG311N Datová tabulka
FDG311N Fotky
FDG311N Cena
FDG311N Nabídka
FDG311N Nejnižší cena
FDG311N Vyhledávání
FDG311N Nákup
FDG311N Chip