Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDG312P
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
Číslo dílu
FDG312P
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dodavatelský balíček zařízení
SC-70-6
Ztráta energie (max.)
750mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16437 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDG312P
FDG312P Elektronické komponenty
FDG312P Odbyt
FDG312P Dodavatel
FDG312P Distributor
FDG312P Datová tabulka
FDG312P Fotky
FDG312P Cena
FDG312P Nabídka
FDG312P Nejnižší cena
FDG312P Vyhledávání
FDG312P Nákup
FDG312P Chip