Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP100N10

FDP100N10

MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
Číslo dílu
FDP100N10
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
208W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43437 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP100N10
FDP100N10 Elektronické komponenty
FDP100N10 Odbyt
FDP100N10 Dodavatel
FDP100N10 Distributor
FDP100N10 Datová tabulka
FDP100N10 Fotky
FDP100N10 Cena
FDP100N10 Nabídka
FDP100N10 Nejnižší cena
FDP100N10 Vyhledávání
FDP100N10 Nákup
FDP100N10 Chip