Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP12N50

FDP12N50

MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
Číslo dílu
FDP12N50
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
165W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1315pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42631 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP12N50
FDP12N50 Elektronické komponenty
FDP12N50 Odbyt
FDP12N50 Dodavatel
FDP12N50 Distributor
FDP12N50 Datová tabulka
FDP12N50 Fotky
FDP12N50 Cena
FDP12N50 Nabídka
FDP12N50 Nejnižší cena
FDP12N50 Vyhledávání
FDP12N50 Nákup
FDP12N50 Chip