Koupit ON Semiconductor FDT86102LZ MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

Číslo dílu

FDT86102LZ

Výrobce/značka

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-261-4, TO-261AA

Dodavatelský balíček zařízení

SOT-223-4

Ztráta energie (max.)

2.2W (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

100V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

6.6A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

28 mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1490pF @ 50V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 28210 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

ON Semiconductor