Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDT86113LZ

FDT86113LZ

MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
Číslo dílu
FDT86113LZ
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223-4
Ztráta energie (max.)
2.2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
315pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48631 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDT86113LZ
FDT86113LZ Elektronické komponenty
FDT86113LZ Odbyt
FDT86113LZ Dodavatel
FDT86113LZ Distributor
FDT86113LZ Datová tabulka
FDT86113LZ Fotky
FDT86113LZ Cena
FDT86113LZ Nabídka
FDT86113LZ Nejnižší cena
FDT86113LZ Vyhledávání
FDT86113LZ Nákup
FDT86113LZ Chip