Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB30N06LTM
MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
Číslo dílu
FQB30N06LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1040pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20540 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB30N06LTM
FQB30N06LTM Elektronické komponenty
FQB30N06LTM Odbyt
FQB30N06LTM Dodavatel
FQB30N06LTM Distributor
FQB30N06LTM Datová tabulka
FQB30N06LTM Fotky
FQB30N06LTM Cena
FQB30N06LTM Nabídka
FQB30N06LTM Nejnižší cena
FQB30N06LTM Vyhledávání
FQB30N06LTM Nákup
FQB30N06LTM Chip