Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB33N10LTM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Číslo dílu
FQB33N10LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 127W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
52 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1630pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53214 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB33N10LTM
FQB33N10LTM Elektronické komponenty
FQB33N10LTM Odbyt
FQB33N10LTM Dodavatel
FQB33N10LTM Distributor
FQB33N10LTM Datová tabulka
FQB33N10LTM Fotky
FQB33N10LTM Cena
FQB33N10LTM Nabídka
FQB33N10LTM Nejnižší cena
FQB33N10LTM Vyhledávání
FQB33N10LTM Nákup
FQB33N10LTM Chip