Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB50N06TM

FQB50N06TM

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Číslo dílu
FQB50N06TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1540pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7702 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQB50N06TM
FQB50N06TM Elektronické komponenty
FQB50N06TM Odbyt
FQB50N06TM Dodavatel
FQB50N06TM Distributor
FQB50N06TM Datová tabulka
FQB50N06TM Fotky
FQB50N06TM Cena
FQB50N06TM Nabídka
FQB50N06TM Nejnižší cena
FQB50N06TM Vyhledávání
FQB50N06TM Nákup
FQB50N06TM Chip