Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB55N06TM

FQB55N06TM

MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Číslo dílu
FQB55N06TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 133W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1690pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20548 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQB55N06TM
FQB55N06TM Elektronické komponenty
FQB55N06TM Odbyt
FQB55N06TM Dodavatel
FQB55N06TM Distributor
FQB55N06TM Datová tabulka
FQB55N06TM Fotky
FQB55N06TM Cena
FQB55N06TM Nabídka
FQB55N06TM Nejnižší cena
FQB55N06TM Vyhledávání
FQB55N06TM Nákup
FQB55N06TM Chip