Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD20N06LETM
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Číslo dílu
FQD20N06LETM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
665pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48173 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD20N06LETM
FQD20N06LETM Elektronické komponenty
FQD20N06LETM Odbyt
FQD20N06LETM Dodavatel
FQD20N06LETM Distributor
FQD20N06LETM Datová tabulka
FQD20N06LETM Fotky
FQD20N06LETM Cena
FQD20N06LETM Nabídka
FQD20N06LETM Nejnižší cena
FQD20N06LETM Vyhledávání
FQD20N06LETM Nákup
FQD20N06LETM Chip