FQD20N06TM
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Číslo dílu
FQD20N06TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
63 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
590pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23109 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD20N06TM
FQD20N06TM Elektronické komponenty
FQD20N06TM Odbyt
FQD20N06TM Dodavatel
FQD20N06TM Distributor
FQD20N06TM Datová tabulka
FQD20N06TM Fotky
FQD20N06TM Cena
FQD20N06TM Nabídka
FQD20N06TM Nejnižší cena
FQD20N06TM Vyhledávání
FQD20N06TM Nákup
FQD20N06TM Chip