Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD2N100TF
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Číslo dílu
FQD2N100TF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7757 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD2N100TF
FQD2N100TF Elektronické komponenty
FQD2N100TF Odbyt
FQD2N100TF Dodavatel
FQD2N100TF Distributor
FQD2N100TF Datová tabulka
FQD2N100TF Fotky
FQD2N100TF Cena
FQD2N100TF Nabídka
FQD2N100TF Nejnižší cena
FQD2N100TF Vyhledávání
FQD2N100TF Nákup
FQD2N100TF Chip