Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD4N20LTM
MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
Číslo dílu
FQD4N20LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.35 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31655 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD4N20LTM
FQD4N20LTM Elektronické komponenty
FQD4N20LTM Odbyt
FQD4N20LTM Dodavatel
FQD4N20LTM Distributor
FQD4N20LTM Datová tabulka
FQD4N20LTM Fotky
FQD4N20LTM Cena
FQD4N20LTM Nabídka
FQD4N20LTM Nejnižší cena
FQD4N20LTM Vyhledávání
FQD4N20LTM Nákup
FQD4N20LTM Chip