FQD4N20TM
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
Číslo dílu
FQD4N20TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26459 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD4N20TM
FQD4N20TM Elektronické komponenty
FQD4N20TM Odbyt
FQD4N20TM Dodavatel
FQD4N20TM Distributor
FQD4N20TM Datová tabulka
FQD4N20TM Fotky
FQD4N20TM Cena
FQD4N20TM Nabídka
FQD4N20TM Nejnižší cena
FQD4N20TM Vyhledávání
FQD4N20TM Nákup
FQD4N20TM Chip