Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI32N12V2TU
MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
Číslo dílu
FQI32N12V2TU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
120V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1860pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45696 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQI32N12V2TU
FQI32N12V2TU Elektronické komponenty
FQI32N12V2TU Odbyt
FQI32N12V2TU Dodavatel
FQI32N12V2TU Distributor
FQI32N12V2TU Datová tabulka
FQI32N12V2TU Fotky
FQI32N12V2TU Cena
FQI32N12V2TU Nabídka
FQI32N12V2TU Nejnižší cena
FQI32N12V2TU Vyhledávání
FQI32N12V2TU Nákup
FQI32N12V2TU Chip