Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI32N20CTU

FQI32N20CTU

MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK
Číslo dílu
FQI32N20CTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
82 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17265 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQI32N20CTU
FQI32N20CTU Elektronické komponenty
FQI32N20CTU Odbyt
FQI32N20CTU Dodavatel
FQI32N20CTU Distributor
FQI32N20CTU Datová tabulka
FQI32N20CTU Fotky
FQI32N20CTU Cena
FQI32N20CTU Nabídka
FQI32N20CTU Nejnižší cena
FQI32N20CTU Vyhledávání
FQI32N20CTU Nákup
FQI32N20CTU Chip