Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI50N06LTU

FQI50N06LTU

MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
Číslo dílu
FQI50N06LTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 121W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
52.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
21 mOhm @ 26.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1630pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19657 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQI50N06LTU
FQI50N06LTU Elektronické komponenty
FQI50N06LTU Odbyt
FQI50N06LTU Dodavatel
FQI50N06LTU Distributor
FQI50N06LTU Datová tabulka
FQI50N06LTU Fotky
FQI50N06LTU Cena
FQI50N06LTU Nabídka
FQI50N06LTU Nejnižší cena
FQI50N06LTU Vyhledávání
FQI50N06LTU Nákup
FQI50N06LTU Chip