Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI50N06TU

FQI50N06TU

MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
Číslo dílu
FQI50N06TU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1540pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20639 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQI50N06TU
FQI50N06TU Elektronické komponenty
FQI50N06TU Odbyt
FQI50N06TU Dodavatel
FQI50N06TU Distributor
FQI50N06TU Datová tabulka
FQI50N06TU Fotky
FQI50N06TU Cena
FQI50N06TU Nabídka
FQI50N06TU Nejnižší cena
FQI50N06TU Vyhledávání
FQI50N06TU Nákup
FQI50N06TU Chip