Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQP10N20CTSTU

FQP10N20CTSTU

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
Číslo dílu
FQP10N20CTSTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
72W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48371 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQP10N20CTSTU
FQP10N20CTSTU Elektronické komponenty
FQP10N20CTSTU Odbyt
FQP10N20CTSTU Dodavatel
FQP10N20CTSTU Distributor
FQP10N20CTSTU Datová tabulka
FQP10N20CTSTU Fotky
FQP10N20CTSTU Cena
FQP10N20CTSTU Nabídka
FQP10N20CTSTU Nejnižší cena
FQP10N20CTSTU Vyhledávání
FQP10N20CTSTU Nákup
FQP10N20CTSTU Chip