Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQP10N60C

FQP10N60C

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220
Číslo dílu
FQP10N60C
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
156W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
730 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2040pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41068 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQP10N60C
FQP10N60C Elektronické komponenty
FQP10N60C Odbyt
FQP10N60C Dodavatel
FQP10N60C Distributor
FQP10N60C Datová tabulka
FQP10N60C Fotky
FQP10N60C Cena
FQP10N60C Nabídka
FQP10N60C Nejnižší cena
FQP10N60C Vyhledávání
FQP10N60C Nákup
FQP10N60C Chip