Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQT7N10LTF

FQT7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Číslo dílu
FQT7N10LTF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223-4
Ztráta energie (max.)
2W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42545 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQT7N10LTF
FQT7N10LTF Elektronické komponenty
FQT7N10LTF Odbyt
FQT7N10LTF Dodavatel
FQT7N10LTF Distributor
FQT7N10LTF Datová tabulka
FQT7N10LTF Fotky
FQT7N10LTF Cena
FQT7N10LTF Nabídka
FQT7N10LTF Nejnižší cena
FQT7N10LTF Vyhledávání
FQT7N10LTF Nákup
FQT7N10LTF Chip