Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQT7N10TF

FQT7N10TF

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Číslo dílu
FQT7N10TF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223-4
Ztráta energie (max.)
2W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29480 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQT7N10TF
FQT7N10TF Elektronické komponenty
FQT7N10TF Odbyt
FQT7N10TF Dodavatel
FQT7N10TF Distributor
FQT7N10TF Datová tabulka
FQT7N10TF Fotky
FQT7N10TF Cena
FQT7N10TF Nabídka
FQT7N10TF Nejnižší cena
FQT7N10TF Vyhledávání
FQT7N10TF Nákup
FQT7N10TF Chip