Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NDD01N60T4G
MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK
Číslo dílu
NDD01N60T4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
46W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43723 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NDD01N60T4G
NDD01N60T4G Elektronické komponenty
NDD01N60T4G Odbyt
NDD01N60T4G Dodavatel
NDD01N60T4G Distributor
NDD01N60T4G Datová tabulka
NDD01N60T4G Fotky
NDD01N60T4G Cena
NDD01N60T4G Nabídka
NDD01N60T4G Nejnižší cena
NDD01N60T4G Vyhledávání
NDD01N60T4G Nákup
NDD01N60T4G Chip