Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NDD02N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V IPAK
Číslo dílu
NDD02N60Z-1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
57W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10.1nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
274pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37697 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NDD02N60Z-1G
NDD02N60Z-1G Elektronické komponenty
NDD02N60Z-1G Odbyt
NDD02N60Z-1G Dodavatel
NDD02N60Z-1G Distributor
NDD02N60Z-1G Datová tabulka
NDD02N60Z-1G Fotky
NDD02N60Z-1G Cena
NDD02N60Z-1G Nabídka
NDD02N60Z-1G Nejnižší cena
NDD02N60Z-1G Vyhledávání
NDD02N60Z-1G Nákup
NDD02N60Z-1G Chip