NDD04N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
Číslo dílu
NDD04N60ZT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41447 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NDD04N60ZT4G
NDD04N60ZT4G Elektronické komponenty
NDD04N60ZT4G Odbyt
NDD04N60ZT4G Dodavatel
NDD04N60ZT4G Distributor
NDD04N60ZT4G Datová tabulka
NDD04N60ZT4G Fotky
NDD04N60ZT4G Cena
NDD04N60ZT4G Nabídka
NDD04N60ZT4G Nejnižší cena
NDD04N60ZT4G Vyhledávání
NDD04N60ZT4G Nákup
NDD04N60ZT4G Chip