NTMS10P02R2G
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Číslo dílu
NTMS10P02R2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
1.6W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3640pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23572 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTMS10P02R2G
NTMS10P02R2G Elektronické komponenty
NTMS10P02R2G Odbyt
NTMS10P02R2G Dodavatel
NTMS10P02R2G Distributor
NTMS10P02R2G Datová tabulka
NTMS10P02R2G Fotky
NTMS10P02R2G Cena
NTMS10P02R2G Nabídka
NTMS10P02R2G Nejnižší cena
NTMS10P02R2G Vyhledávání
NTMS10P02R2G Nákup
NTMS10P02R2G Chip