Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTMS3P03R2G
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
Číslo dílu
NTMS3P03R2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
730mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.34A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
85 mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 24V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7785 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTMS3P03R2G
NTMS3P03R2G Elektronické komponenty
NTMS3P03R2G Odbyt
NTMS3P03R2G Dodavatel
NTMS3P03R2G Distributor
NTMS3P03R2G Datová tabulka
NTMS3P03R2G Fotky
NTMS3P03R2G Cena
NTMS3P03R2G Nabídka
NTMS3P03R2G Nejnižší cena
NTMS3P03R2G Vyhledávání
NTMS3P03R2G Nákup
NTMS3P03R2G Chip