Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTMS4800NR2G
MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Číslo dílu
NTMS4800NR2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
750mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
940pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9109 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTMS4800NR2G
NTMS4800NR2G Elektronické komponenty
NTMS4800NR2G Odbyt
NTMS4800NR2G Dodavatel
NTMS4800NR2G Distributor
NTMS4800NR2G Datová tabulka
NTMS4800NR2G Fotky
NTMS4800NR2G Cena
NTMS4800NR2G Nabídka
NTMS4800NR2G Nejnižší cena
NTMS4800NR2G Vyhledávání
NTMS4800NR2G Nákup
NTMS4800NR2G Chip