Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTMS5835NLR2G
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Číslo dílu
NTMS5835NLR2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2115pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39037 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTMS5835NLR2G
NTMS5835NLR2G Elektronické komponenty
NTMS5835NLR2G Odbyt
NTMS5835NLR2G Dodavatel
NTMS5835NLR2G Distributor
NTMS5835NLR2G Datová tabulka
NTMS5835NLR2G Fotky
NTMS5835NLR2G Cena
NTMS5835NLR2G Nabídka
NTMS5835NLR2G Nejnižší cena
NTMS5835NLR2G Vyhledávání
NTMS5835NLR2G Nákup
NTMS5835NLR2G Chip