NTMS5P02R2SG
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Číslo dílu
NTMS5P02R2SG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
790mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.95A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14529 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTMS5P02R2SG
NTMS5P02R2SG Elektronické komponenty
NTMS5P02R2SG Odbyt
NTMS5P02R2SG Dodavatel
NTMS5P02R2SG Distributor
NTMS5P02R2SG Datová tabulka
NTMS5P02R2SG Fotky
NTMS5P02R2SG Cena
NTMS5P02R2SG Nabídka
NTMS5P02R2SG Nejnižší cena
NTMS5P02R2SG Vyhledávání
NTMS5P02R2SG Nákup
NTMS5P02R2SG Chip