Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTMSD3P303R2G
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
Číslo dílu
NTMSD3P303R2G
Výrobce/značka
Série
FETKY™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
730mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.34A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
85 mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 24V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9988 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTMSD3P303R2G
NTMSD3P303R2G Elektronické komponenty
NTMSD3P303R2G Odbyt
NTMSD3P303R2G Dodavatel
NTMSD3P303R2G Distributor
NTMSD3P303R2G Datová tabulka
NTMSD3P303R2G Fotky
NTMSD3P303R2G Cena
NTMSD3P303R2G Nabídka
NTMSD3P303R2G Nejnižší cena
NTMSD3P303R2G Vyhledávání
NTMSD3P303R2G Nákup
NTMSD3P303R2G Chip