NVD5117PLT4G-VF01
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
Číslo dílu
NVD5117PLT4G-VF01
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
4.1W (Ta), 118W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta), 61A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11710 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVD5117PLT4G-VF01
NVD5117PLT4G-VF01 Elektronické komponenty
NVD5117PLT4G-VF01 Odbyt
NVD5117PLT4G-VF01 Dodavatel
NVD5117PLT4G-VF01 Distributor
NVD5117PLT4G-VF01 Datová tabulka
NVD5117PLT4G-VF01 Fotky
NVD5117PLT4G-VF01 Cena
NVD5117PLT4G-VF01 Nabídka
NVD5117PLT4G-VF01 Nejnižší cena
NVD5117PLT4G-VF01 Vyhledávání
NVD5117PLT4G-VF01 Nákup
NVD5117PLT4G-VF01 Chip