Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVD5413NT4G

NVD5413NT4G

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Číslo dílu
NVD5413NT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1725pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26229 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVD5413NT4G
NVD5413NT4G Elektronické komponenty
NVD5413NT4G Odbyt
NVD5413NT4G Dodavatel
NVD5413NT4G Distributor
NVD5413NT4G Datová tabulka
NVD5413NT4G Fotky
NVD5413NT4G Cena
NVD5413NT4G Nabídka
NVD5413NT4G Nejnižší cena
NVD5413NT4G Vyhledávání
NVD5413NT4G Nákup
NVD5413NT4G Chip