Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVD5807NT4G

NVD5807NT4G

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Číslo dílu
NVD5807NT4G
Výrobce/značka
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
33W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
31 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
603pF @ 25V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12010 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVD5807NT4G
NVD5807NT4G Elektronické komponenty
NVD5807NT4G Odbyt
NVD5807NT4G Dodavatel
NVD5807NT4G Distributor
NVD5807NT4G Datová tabulka
NVD5807NT4G Fotky
NVD5807NT4G Cena
NVD5807NT4G Nabídka
NVD5807NT4G Nejnižší cena
NVD5807NT4G Vyhledávání
NVD5807NT4G Nákup
NVD5807NT4G Chip