Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVD5862NT4G

NVD5862NT4G

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
Číslo dílu
NVD5862NT4G
Výrobce/značka
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
4.1W (Ta), 115W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta), 98A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.7 mOhm @ 48A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16403 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVD5862NT4G
NVD5862NT4G Elektronické komponenty
NVD5862NT4G Odbyt
NVD5862NT4G Dodavatel
NVD5862NT4G Distributor
NVD5862NT4G Datová tabulka
NVD5862NT4G Fotky
NVD5862NT4G Cena
NVD5862NT4G Nabídka
NVD5862NT4G Nejnižší cena
NVD5862NT4G Vyhledávání
NVD5862NT4G Nákup
NVD5862NT4G Chip