Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVD5865NLT4G

NVD5865NLT4G

MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
Číslo dílu
NVD5865NLT4G
Výrobce/značka
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta), 46A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12437 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVD5865NLT4G
NVD5865NLT4G Elektronické komponenty
NVD5865NLT4G Odbyt
NVD5865NLT4G Dodavatel
NVD5865NLT4G Distributor
NVD5865NLT4G Datová tabulka
NVD5865NLT4G Fotky
NVD5865NLT4G Cena
NVD5865NLT4G Nabídka
NVD5865NLT4G Nejnižší cena
NVD5865NLT4G Vyhledávání
NVD5865NLT4G Nákup
NVD5865NLT4G Chip