Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVD5890NLT4G

NVD5890NLT4G

MOSFET N-CH 40V 123A DPAK
Číslo dílu
NVD5890NLT4G
Výrobce/značka
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
4W (Ta), 107W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Ta), 123A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4760pF @ 25V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32429 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVD5890NLT4G
NVD5890NLT4G Elektronické komponenty
NVD5890NLT4G Odbyt
NVD5890NLT4G Dodavatel
NVD5890NLT4G Distributor
NVD5890NLT4G Datová tabulka
NVD5890NLT4G Fotky
NVD5890NLT4G Cena
NVD5890NLT4G Nabídka
NVD5890NLT4G Nejnižší cena
NVD5890NLT4G Vyhledávání
NVD5890NLT4G Nákup
NVD5890NLT4G Chip