Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
Číslo dílu
NVD6415ANLT4G
Výrobce/značka
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
52 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1024pF @ 25V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12228 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVD6415ANLT4G
NVD6415ANLT4G Elektronické komponenty
NVD6415ANLT4G Odbyt
NVD6415ANLT4G Dodavatel
NVD6415ANLT4G Distributor
NVD6415ANLT4G Datová tabulka
NVD6415ANLT4G Fotky
NVD6415ANLT4G Cena
NVD6415ANLT4G Nabídka
NVD6415ANLT4G Nejnižší cena
NVD6415ANLT4G Vyhledávání
NVD6415ANLT4G Nákup
NVD6415ANLT4G Chip