Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVD6416ANLT4G-VF01
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Číslo dílu
NVD6416ANLT4G-VF01
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
74 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28635 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVD6416ANLT4G-VF01
NVD6416ANLT4G-VF01 Elektronické komponenty
NVD6416ANLT4G-VF01 Odbyt
NVD6416ANLT4G-VF01 Dodavatel
NVD6416ANLT4G-VF01 Distributor
NVD6416ANLT4G-VF01 Datová tabulka
NVD6416ANLT4G-VF01 Fotky
NVD6416ANLT4G-VF01 Cena
NVD6416ANLT4G-VF01 Nabídka
NVD6416ANLT4G-VF01 Nejnižší cena
NVD6416ANLT4G-VF01 Vyhledávání
NVD6416ANLT4G-VF01 Nákup
NVD6416ANLT4G-VF01 Chip