Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVMD3P03R2G

NVMD3P03R2G

MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Číslo dílu
NVMD3P03R2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
730mW
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.34A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
85 mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 24V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34182 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVMD3P03R2G
NVMD3P03R2G Elektronické komponenty
NVMD3P03R2G Odbyt
NVMD3P03R2G Dodavatel
NVMD3P03R2G Distributor
NVMD3P03R2G Datová tabulka
NVMD3P03R2G Fotky
NVMD3P03R2G Cena
NVMD3P03R2G Nabídka
NVMD3P03R2G Nejnižší cena
NVMD3P03R2G Vyhledávání
NVMD3P03R2G Nákup
NVMD3P03R2G Chip