Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RJK2006DPE-00#J3
MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
Číslo dílu
RJK2006DPE-00#J3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-83
Dodavatelský balíček zařízení
4-LDPAK
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
59 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26855 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RJK2006DPE-00#J3
RJK2006DPE-00#J3 Elektronické komponenty
RJK2006DPE-00#J3 Odbyt
RJK2006DPE-00#J3 Dodavatel
RJK2006DPE-00#J3 Distributor
RJK2006DPE-00#J3 Datová tabulka
RJK2006DPE-00#J3 Fotky
RJK2006DPE-00#J3 Cena
RJK2006DPE-00#J3 Nabídka
RJK2006DPE-00#J3 Nejnižší cena
RJK2006DPE-00#J3 Vyhledávání
RJK2006DPE-00#J3 Nákup
RJK2006DPE-00#J3 Chip