Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RJK2009DPM-00#T0
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Číslo dílu
RJK2009DPM-00#T0
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3PFM, SC-93-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3PFM
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44906 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RJK2009DPM-00#T0
RJK2009DPM-00#T0 Elektronické komponenty
RJK2009DPM-00#T0 Odbyt
RJK2009DPM-00#T0 Dodavatel
RJK2009DPM-00#T0 Distributor
RJK2009DPM-00#T0 Datová tabulka
RJK2009DPM-00#T0 Fotky
RJK2009DPM-00#T0 Cena
RJK2009DPM-00#T0 Nabídka
RJK2009DPM-00#T0 Nejnižší cena
RJK2009DPM-00#T0 Vyhledávání
RJK2009DPM-00#T0 Nákup
RJK2009DPM-00#T0 Chip