Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RDN100N20
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Číslo dílu
RDN100N20
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220FN
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
543pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13606 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RDN100N20
RDN100N20 Elektronické komponenty
RDN100N20 Odbyt
RDN100N20 Dodavatel
RDN100N20 Distributor
RDN100N20 Datová tabulka
RDN100N20 Fotky
RDN100N20 Cena
RDN100N20 Nabídka
RDN100N20 Nejnižší cena
RDN100N20 Vyhledávání
RDN100N20 Nákup
RDN100N20 Chip