Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RDN100N20FU6
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Číslo dílu
RDN100N20FU6
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220FN
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
543pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45384 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RDN100N20FU6
RDN100N20FU6 Elektronické komponenty
RDN100N20FU6 Odbyt
RDN100N20FU6 Dodavatel
RDN100N20FU6 Distributor
RDN100N20FU6 Datová tabulka
RDN100N20FU6 Fotky
RDN100N20FU6 Cena
RDN100N20FU6 Nabídka
RDN100N20FU6 Nejnižší cena
RDN100N20FU6 Vyhledávání
RDN100N20FU6 Nákup
RDN100N20FU6 Chip