STB100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Číslo dílu
STB100N10F7
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4369pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24069 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB100N10F7
STB100N10F7 Elektronické komponenty
STB100N10F7 Odbyt
STB100N10F7 Dodavatel
STB100N10F7 Distributor
STB100N10F7 Datová tabulka
STB100N10F7 Fotky
STB100N10F7 Cena
STB100N10F7 Nabídka
STB100N10F7 Nejnižší cena
STB100N10F7 Vyhledávání
STB100N10F7 Nákup
STB100N10F7 Chip