STB100N6F7
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
Číslo dílu
STB100N6F7
Výrobce/značka
Série
STripFET™ F7
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1980pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40606 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB100N6F7
STB100N6F7 Elektronické komponenty
STB100N6F7 Odbyt
STB100N6F7 Dodavatel
STB100N6F7 Distributor
STB100N6F7 Datová tabulka
STB100N6F7 Fotky
STB100N6F7 Cena
STB100N6F7 Nabídka
STB100N6F7 Nejnižší cena
STB100N6F7 Vyhledávání
STB100N6F7 Nákup
STB100N6F7 Chip