Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STI33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
Číslo dílu
STI33N60M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II Plus
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
125 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1781pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5707 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STI33N60M2
STI33N60M2 Elektronické komponenty
STI33N60M2 Odbyt
STI33N60M2 Dodavatel
STI33N60M2 Distributor
STI33N60M2 Datová tabulka
STI33N60M2 Fotky
STI33N60M2 Cena
STI33N60M2 Nabídka
STI33N60M2 Nejnižší cena
STI33N60M2 Vyhledávání
STI33N60M2 Nákup
STI33N60M2 Chip